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突發!商務部決定對鎵、鍺相關物項實施出口管制!全球半導體產業將受影響!

時間:2023-07-05 14:05:30 來源(yuan):創始人 點擊:0

7月3日,商務部與(yu)海關總署發布(bu)公告,宣布(bu)對鎵、鍺相關物項(xiang)實施出口管制(zhi)。未經許可(ke),不得出口。

其中,鎵類物項包括:金屬鎵、氮化鎵、氧化鎵、磷化鎵、砷化鎵、銦鎵砷、硒化鎵、銻化鎵。

鍺類物項包括(kuo):金屬鍺、區熔鍺錠、磷鍺鋅、鍺外延生長襯底、二氧化鍺、四氯化(hua)鍺。

眾所周知,以上相關鎵類物項和鍺類物項大都屬于重要的化合物半導體材料,而金屬鎵、金屬鍺、區熔鍺錠、鍺外(wai)延生(sheng)長(chang)襯底則屬于制備鎵類或鍺類相關化合物半導體所須的材料

作為全球金(jin)(jin)屬鎵、金(jin)(jin)屬鍺(zang)(zang)儲量及產(chan)量最大的(de)國家之一,中(zhong)國此次對(dui)(dui)鎵、鍺(zang)(zang)相關物(wu)項實施(shi)出(chu)口管(guan)制,無疑將(jiang)會(hui)對(dui)(dui)全球的(de)半導體(ti)產(chan)業(ye)造成重大影響。

具體對(dui)鎵、鍺相(xiang)關物(wu)項(xiang)資料,由芯智訊整理如下:

金屬鎵

金屬鎵是(shi)一種稀有(you)的藍色或銀白色的金屬,其產品熔點很低,但沸點很高,是一種(zhong)性能優良的電子原材(cai)料,下游應用領域廣泛,主要應用于制(zhi)作光學玻璃(li)、真(zhen)空管、半導體的(de)重要原料。

根據美國地(di)質調查局(USGS)公(gong)布的(de)數(shu)據,目(mu)前全球金屬鎵的(de)儲(chu)(chu)(chu)量(liang)約為(wei)27.93萬噸,而中國的(de)儲(chu)(chu)(chu)量(liang)最多,達到19萬噸,占全球儲(chu)(chu)(chu)量(liang)的(de)68%左(zuo)右;相比之下,美國的(de)儲(chu)(chu)(chu)量(liang)還(huan)不到中國的(de)1/40,只(zhi)有(you)0.45萬噸。

從產(chan)(chan)量來看,中國(guo)(guo)產(chan)(chan)量占(zhan)比全(quan)球鎵(jia)產(chan)(chan)量最(zui)高。德(de)國(guo)(guo)和(he)哈薩克斯坦分(fen)別于2016年(nian)和(he)2013年(nian)停止(zhi)了鎵(jia)生產(chan)(chan)。(2021年(nian)德(de)國(guo)(guo)宣布將在年(nian)底前重啟(qi)初級鎵(jia)生產(chan)(chan)),匈(xiong)牙利和(he)烏克蘭分(fen)別于2015年(nian)和(he)2019年(nian)停止(zhi)鎵(jia)生產(chan)(chan),中國(guo)(guo)鎵(jia)占(zhan)比全(quan)球鎵(jia)產(chan)(chan)量持續提升,截止(zhi)2021年(nian),占(zhan)比全(quan)球鎵(jia)產(chan)(chan)量已超90%。

化鎵

化鎵(jia)是近年來(lai)比較熱門的第三代化合物半導體材料。相對于傳統的硅(Si)和砷化鎵(jia)(GaAs)半導體材料,氮化鎵(jia)具有(you)許多優(you)點(dian),例如高(gao)(gao)電子流動率(lv)、高(gao)(gao)飽和漂移速度、高(gao)(gao)電子密(mi)度和高(gao)(gao)熱導率(lv)。這些特性使氮化家(jia)在(zai)高(gao)(gao)功率(lv)電子器(qi)件(jian)(比如快(kuai)充充電器(qi))、高(gao)(gao)速光電子器(qi)件(jian)、高(gao)(gao)亮度發(fa)光二極管(LED)和高(gao)(gao)效(xiao)能太陽能電池等(deng)(deng)領域有(you)廣泛應用。此外,氮化家(jia)還被用于制造(zao)紫外線(xian)激光器(qi)、無(wu)線(xian)電通(tong)信設備、醫療器(qi)械等(deng)(deng)。

化鎵(jia)

氧(yang)化(hua)(hua)鎵(jia)(jia)則是一(yi)種“超寬禁帶(dai)半(ban)導體(ti)”材料,也屬于(yu)“第四代半(ban)導體(ti)”,與(yu)第三代半(ban)導體(ti)碳化(hua)(hua)硅(gui)、氮化(hua)(hua)鎵(jia)(jia)相比,氧(yang)化(hua)(hua)鎵(jia)(jia)的(de)禁帶(dai)寬度達(da)到(dao)了4.9eV,高(gao)于(yu)碳化(hua)(hua)硅(gui)的(de)3.2eV和氮化(hua)(hua)鎵(jia)(jia)的(de)3.39eV,更(geng)寬的(de)禁帶(dai)寬度意味著電子需(xu)要更(geng)多的(de)能量從價帶(dai)躍遷到(dao)導帶(dai),因此氧(yang)化(hua)(hua)鎵(jia)(jia)具有耐高(gao)壓、耐高(gao)溫(wen)、大功率、抗(kang)輻照等(deng)特性。并且,在同等(deng)規(gui)格下,寬禁帶(dai)材料可以制造die size更(geng)小、功率密(mi)度更(geng)高(gao)的(de)器件,節省(sheng)配套(tao)散(san)熱和晶圓面積(ji),進一(yi)步降低成本。

值得注意但是(shi),在(zai)2022年8月,美國商務部產業(ye)安(an)全(quan)局(BIS)對第(di)四代半導(dao)體材(cai)料(liao)氧(yang)化鎵(jia)和(he)金(jin)剛(gang)石(shi)實施出口(kou)管制,認為氧(yang)化鎵(jia)的(de)耐(nai)高壓特(te)性(xing)在(zai)軍事領域的(de)應用對美國國家安(an)全(quan)至關重要(yao)。此后,氧(yang)化鎵(jia)在(zai)全(quan)球科(ke)研與產業(ye)界引起了(le)更廣泛的(de)重視(shi)。

化鎵

磷(lin)化(hua)鎵(jia)是由(you)元素(su)鎵(jia)與元素(su)磷(lin)合(he)成的Ⅲ—Ⅴ族化(hua)合(he)物半(ban)導體,常溫下其(qi)純度較高(gao)的為橙紅色透明固體。磷(lin)化(hua)鎵(jia)是制作半(ban)導體可見發(fa)光(guang)(guang)器件的重要材料,主要用作制造整流(liu)器,晶體管、光(guang)(guang)導管、激光(guang)(guang)二(er)極(ji)管和致冷元件等(deng)。

磷化鎵和砷化鎵是具有電致發光性能的半導體,是繼鍺和硅之后的重要化合物半導體。與砷化鎵不同,磷化(hua)鎵(jia)是一種(zhong)間接帶隙材料。當引入能形(xing)成等電子陷阱的雜質(zhi)后,其(qi)發光效率會大大提(ti)高,并且能根據(ju)引入雜(za)質的(de)不同(tong)而(er)發出不同(tong)顏色的(de)光來。例如在磷化鎵中摻入氮則發綠Chemicalbook光(guang),摻(chan)入(ru)鋅-氧對則發(fa)紅光(guang),因此磷(lin)化(hua)鎵是制作可(ke)見光(guang)發(fa)光(guang)二極管(guan)和(he)數(shu)碼管(guan)等光(guang)電顯示器(qi)件(jian)的重要材料,此外還可用(yong)來制(zhi)作光電倍(bei)增管、光電存儲器(qi)、高溫(wen)開關(guan)等器(qi)件(jian)

砷化鎵

砷化鎵是當前主流的第二代化合物半導體材料之一。其具有高(gao)頻率(lv)(lv)、高(gao)電(dian)子遷移率(lv)(lv)、高(gao)輸出(chu)功率(lv)(lv)、高(gao)線(xian)性以及低噪聲(sheng)等特點,在光電(dian)和射頻領域(yu)有著(zhu)非(fei)常廣泛的應用。

比如,砷(shen)化鎵可以用來制作LED(發光二極管),主要是黃光、紅光和紅外光(氮化禁帶更寬,主要用來發藍光、綠光和紫外光),具有效率(lv)高、器件結(jie)構精巧簡單、機械強度大、使用壽命(ming)長等特點。如果砷化鎵作為發光材料,加泵浦源和(he)諧(xie)振腔,即(ji)可(ke)選頻制(zhi)成激光器。典型應用(yong)就是VCSEL(垂直腔表(biao)面(mian)發(fa)射激光(guang)(guang)器),廣泛應用(yong)在短距(ju)離數據中心光(guang)(guang)纖通信,結(jie)構光(guang)(guang)/TOF人臉識(shi)別等。

另外,砷化(hua)鎵的電子遷移率是硅的五倍,HBT的Ft高達45GHz,0.25um E mode pHEMT的Ft更是高達70GHz,因此砷(shen)化鎵非常適合設計Sub-7GHz的射頻器件。蜂窩和WLAN PA也常用砷化鎵HBT設計;開關、LNA等則采用砷化(hua)鎵pHEMT工藝。

銦鎵砷

銦鎵砷是一種(zhong)III-V族半導(dao)體,具有晶格匹配性好、帶隙可調節(jie)、大(da)尺寸產品均勻性好等優(you)點,是第四(si)代(dai)半導(dao)體材料,也是新一代(dai)紅(hong)外(wai)發(fa)光材料,在光電(dian)芯片、紅(hong)外(wai)探測器(qi)、傳感(gan)器(qi)等領域(yu)擁(yong)有巨大(da)應(ying)用價值。

在光電芯片(pian)領域,為制造(zao)體積更小、功能(neng)集成度更高的晶體管,傳統硅材料已無法(fa)滿足需求,砷(shen)化銦鎵可達到此要求。

在紅(hong)外探測器(qi)領域,砷(shen)化(hua)銦鎵可(ke)(ke)用作短(duan)波紅(hong)外光電材(cai)料(liao)(liao),制造短(duan)波紅(hong)外探測器(qi),也可(ke)(ke)以與(yu)其(qi)他(ta)III-V族半導體(ti)相(xiang)配合制備超(chao)(chao)晶格(ge)(ge)材(cai)料(liao)(liao),例如(ru)以磷化(hua)銦為襯底(di),外延生長(chang)砷(shen)化(hua)銦鎵,制備得到InP/InGaAs超(chao)(chao)晶格(ge)(ge),此材(cai)料(liao)(liao)穩定性(xing)高(gao)、均勻(yun)度高(gao),以其(qi)為敏感材(cai)料(liao)(liao)制造而(er)成(cheng)的紅(hong)外探測器(qi),具有高(gao)靈敏度、高(gao)可(ke)(ke)靠性(xing)、低(di)功耗(hao)、低(di)成(cheng)本等優點,可(ke)(ke)以廣泛應用在智能駕駛、安(an)防監控(kong)、儀器(qi)儀表(biao)等領域。

在傳感器領域,由于砷化銦鎵靈敏度高,可制造InGaAs紅外掃描相機,是OCT(光學相干斷層掃描)的關鍵組成部分,可提高人體組織穿透性,并實現高速成像。OCT是新型醫學影像技術,在生物組織活體檢測與成像方面效果顯著,在臨床上可以廣泛應用在眼科、牙科、皮膚科、癌癥早期診斷等方面,是醫療領域重要疾病診斷技術之一,此外也可以應用于工業測量領域。

硒化鎵

硒(xi)化鎵(jia)是一(yi)種重要的(de)二元半導(dao)體(ti),它具有各向異(yi)性、較寬的(de)帶隙、新奇的(de)光(guang)(guang)(guang)學(xue)和電學(xue)性質(zhi)等特性。這使得(de)硒(xi)化鎵(jia)在太陽能電池(chi)、光(guang)(guang)(guang)探測器及集(ji)成(cheng)光(guang)(guang)(guang)電子器件(jian)等領域有很好的(de)應(ying)用前景。

另外(wai),由于硒(xi)化家(jia)晶(jing)(jing)體具(ju)有優(you)(you)異的抗干擾(rao)性能和(he)(he)低損耗性能,它可以用于高(gao)精度技術(shu)應(ying)用,如(ru)高(gao)精度電子儀器、電氣控制(zhi)系統和(he)(he)光(guang)學系統。此(ci)外(wai),硒(xi)化家(jia)晶(jing)(jing)體還具(ju)有優(you)(you)異的耐腐(fu)蝕(shi)性和(he)(he)低氧化性,可以用于各種(zhong)酸(suan)性和(he)(he)堿性腐(fu)蝕(shi)性環境中的應(ying)用,是(shi)一種(zhong)優(you)(you)良的精密機(ji)械制(zhi)造材料(liao)。

銻化(hua)鎵(jia)

銻化鎵屬于(yu)III-V族化合(he)物(wu)窄帶隙半導(dao)體(ti),外觀(guan)為灰白色晶體(ti)狀,為立方晶系、閃(shan)鋅礦(kuang)結構(gou)。銻化鎵是第四代半導體材料(liao)中(zhong)(zhong)窄帶(dai)隙(xi)半導體的(de)代表性產品之一(yi),具(ju)有(you)電(dian)子遷移率高、功耗低的(de)特點,其禁帶(dai)寬度可以(yi)在(zai)(zai)較(jiao)寬的(de)范圍(wei)內進行調節,在(zai)(zai)中(zhong)(zhong)長(chang)波(bo)紅外波(bo)段探(tan)測性能優異。銻化鎵常用(yong)作襯(chen)底材料,可以(yi)廣泛應用(yong)在(zai)(zai)紅外探(tan)測器、激光(guang)器、發光(guang)二極(ji)管、光(guang)通信、太陽能電(dian)池等行業中(zhong)(zhong)。

在光通(tong)信(xin)中(zhong),波長越長的光在傳(chuan)(chuan)輸過程中(zhong)損耗越低(di),工作波長2-4μm的非硅(gui)材料光傳(chuan)(chuan)輸損耗更低(di),銻化鎵可以工作在此波段(duan)范(fan)(fan)圍內,并且能夠與其他III-V族材料晶(jing)格(ge)常數(shu)相匹(pi)配,制得的GaSb/GaInAsSb等產品光譜(pu)范(fan)(fan)圍符合光通(tong)信(xin)的低(di)損耗要求。

據了解,發展銻(ti)(ti)化(hua)物半(ban)導(dao)體(ti)材(cai)(cai)料(liao)是整(zheng)個光(guang)通訊領域中核心技術發展的戰略方向(xiang)之一。銻(ti)(ti)化(hua)鎵(jia)半(ban)導(dao)體(ti)主要應(ying)用(yong)于(yu)光(guang)纖通訊的發射(she)基站(zhan),其(qi)傳輸信號的頻率(lv)可以(yi)達到300赫(he)茲(zi)以(yi)上(shang)(shang)。銻(ti)(ti)化(hua)鎵(jia)(銻(ti)(ti)化(hua)物半(ban)導(dao)體(ti)材(cai)(cai)料(liao))未(wei)來在6G等應(ying)用(yong)上(shang)(shang),可能是不可替代的傳輸載體(ti)。

在(zai)紅外(wai)(wai)探測(ce)器(qi)領域(yu),銻化(hua)鎵憑借(jie)光譜覆蓋范(fan)圍寬、頻帶(dai)寬度可(ke)調節的優(you)(you)勢,以其為襯底制(zhi)備的二類(lei)超晶格(ge)材料例如InAs/GaSb探測(ce)性(xing)能優(you)(you)異(yi)、成(cheng)像質量高,可(ke)制(zhi)造高性(xing)能紅外(wai)(wai)焦平面(mian)成(cheng)像陣列,特別是在(zai)中紅外(wai)(wai)探測(ce)器(qi)制(zhi)造中具(ju)有不(bu)可(ke)替代性(xing),而紅外(wai)(wai)焦平面(mian)成(cheng)像陣列具(ju)有多色、大面(mian)陣、功(gong)能集成(cheng)化(hua)的特點,是第(di)三(san)代紅外(wai)(wai)探測(ce)器(qi)。

除此之外(wai),銻化鎵(jia)在太陽(yang)能(neng)電池(chi)(chi)(chi)中也有巨大應用(yong)價值。2017年7月,美國喬治華盛頓(dun)大學與其(qi)他(ta)科研(yan)機構、高(gao)校(xiao)以及(ji)公司合作,設計出一款銻化鎵(jia)基太陽(yang)能(neng)電池(chi)(chi)(chi),可以捕(bu)獲不(bu)同波長的太陽(yang)光,光電轉化效率達到44.5%,遠高(gao)于同期其(qi)他(ta)太陽(yang)能(neng)電池(chi)(chi)(chi)。

金屬(shu)鍺(zang)

鍺(zang)是一種灰白色準金屬,也是典型的(de)稀(xi)散金屬,其(qi)主(zhu)要以(yi)含硫化物的(de)鉛、鋅、銅等礦物的(de)伴生礦產以(yi)及一部分(fen)含鍺(zang)褐煤存(cun)在(zai),很少有獨立礦床存(cun)在(zai)。在實際開采中,通常和含硫化物的鉛、銅以及煤炭等相伴而生。不僅含量少、開采難度大,而且提取也極為麻煩,因此它的產量始終都不高。

根(gen)據美(mei)(mei)國(guo)地質調(diao)查(cha)局所出示(shi)的(de)(de)(de)最新勘測報(bao)告顯(xian)示(shi),全球已(yi)探明8600噸鍺儲(chu)量(liang)中,美(mei)(mei)國(guo)獨(du)占鰲頭(tou)達到3870噸,緊隨其后的(de)(de)(de)中國(guo),探明儲(chu)量(liang)為3500噸。兩國(guo)所擁(yong)有(you)的(de)(de)(de)鍺含量(liang),占據世界鍺總(zong)儲(chu)量(liang)的(de)(de)(de)8成以上,鍺對于兩國(guo)來(lai)說,都(dou)是一種(zhong)優勢礦種(zhong)。

我(wo)國(guo)是(shi)全球鍺(zang)資源儲量(liang)和消費大國(guo),鍺(zang)資源主要分布在(zai)云南、內蒙古等地區(qu),其中(zhong)云南是(shi)國(guo)內最大的鍺(zang)資源儲存區(qu)域,占比(bi)達(da)到35%左右(you)。經過多年發(fa)展(zhan)與(yu)積累,我(wo)國(guo)鍺(zang)產業(ye)鏈布局(ju)逐漸完善,鍺(zang)加(jia)工(gong)企業(ye)主要集中(zhong)在(zai)二氧化鍺(zang)、四(si)氯化鍺(zang)、區(qu)熔鍺(zang)錠等深(shen)加(jia)工(gong)環節。

從(cong)產(chan)量(liang)來看(kan),根據2019年的行業(ye)報(bao)告顯示,全(quan)球一(yi)年的原生鍺的產(chan)量(liang)為131噸,和年產(chan)幾(ji)萬億噸的銅鐵完全(quan)不具(ju)備可(ke)比(bi)性(xing)。而(er)在為數不多的產(chan)量(liang)中,中國(guo)產(chan)量(liang)居于世界榜首(shou),供給量(liang)占比(bi)超過六成。

常(chang)規(gui)的金屬鍺(zang)(zang)(zang)制備方法(fa)為,鍺(zang)(zang)(zang)原料(liao)通過(guo)(guo)酸蒸餾(liu)成(cheng)為四氯(lv)化鍺(zang)(zang)(zang),四氯(lv)化鍺(zang)(zang)(zang)再經(jing)過(guo)(guo)水(shui)解(jie)轉化為二氧(yang)化鍺(zang)(zang)(zang),二氧(yang)化鍺(zang)(zang)(zang)再經(jing)過(guo)(guo)還原成(cheng)為還原鍺(zang)(zang)(zang),還原鍺(zang)(zang)(zang)再進行(xing)區(qu)熔提純過(guo)(guo)程(cheng)得到金屬鍺(zang)(zang)(zang)。中(zhong)間需(xu)要(yao)經(jing)過(guo)(guo)水(shui)解(jie)、還原、區(qu)熔等過(guo)(guo)程(cheng),生產(chan)工(gong)藝(yi)流程(cheng)較(jiao)(jiao)長,設(she)備設(she)施投入較(jiao)(jiao)多,過(guo)(guo)程(cheng)中(zhong)帶入雜質(zhi)造成(cheng)金屬鍺(zang)(zang)(zang)產(chan)品二次污染的幾率較(jiao)(jiao)大。

鍺鋅(xin)

磷化鍺鋅晶(jing)體(ti)是一種(zhong)新型(xing)的中(zhong)遠紅外(wai)(wai)(wai)(wai)波(bo)段非線性光(guang)學(xue)材料,可實(shi)現激光(guang)器的小(xiao)型(xing)化、固態化和(he)高功率輸出,在民(min)用(yong)(yong)(yong)(yong)和(he)國防領域(yu)有(you)重(zhong)要應(ying)用(yong)(yong)(yong)(yong)。民(min)用(yong)(yong)(yong)(yong)領域(yu)可應(ying)用(yong)(yong)(yong)(yong)于(yu)紅外(wai)(wai)(wai)(wai)光(guang)譜、紅外(wai)(wai)(wai)(wai)醫療器械、大氣中(zhong)有(you)害物質監測、遠距離化學(xue)傳感、深(shen)空探測等;國防領域(yu)可應(ying)用(yong)(yong)(yong)(yong)于(yu)紅外(wai)(wai)(wai)(wai)激光(guang)定向(xiang)干擾(rao)、紅外(wai)(wai)(wai)(wai)遙感、激光(guang)雷達(da)等。

磷鍺鋅晶體是一種性能優異的新型中紅外高功率非線性光學材料,它具有紅外透明范圍寬、非線性光學系數大、導熱率高、光損傷閾值高、耐腐蝕等優點,可(ke)實現激光(guang)器的小型化、固態化和高(gao)功率輸(shu)出。用于制(zhi)備中(zhong)紅外(wai)高功率激光(guang)頻率轉換器件,如差頻、倍頻、光參量振蕩器件等,在紅(hong)外(wai)制導、紅(hong)外(wai)測距、紅(hong)外(wai)探測等(deng)國防(fang)和民用領域有廣泛的應用前景。

二氧化(hua)鍺

二(er)氧(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)鍺化(hua)(hua)(hua)學式GeO2,外觀為(wei)白色(se)粉(fen)末或無(wu)色(se)結晶,為(wei)四方晶系(xi)、六(liu)方晶系(xi)或無(wu)定形體,二(er)氧(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)鍺不溶于(yu)水和鹽酸,可溶于(yu)堿液生成鍺酸鹽。二(er)氧(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)鍺是制造其他鍺產品的基礎材(cai)料,例(li)如光(guang)纖四氯化(hua)(hua)(hua)鍺、區熔鍺錠、鍺化(hua)(hua)(hua)合物等,廣(guang)泛(fan)應(ying)用在(zai)電子(zi)、化(hua)(hua)(hua)工(gong)、塑(su)料、光(guang)學鏡(jing)頭、光(guang)學玻璃、半導體材(cai)料以及光(guang)譜分析材(cai)料等領域。近年來,伴隨下游市(shi)場不斷發展,二(er)氧(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)鍺市(shi)場需求(qiu)漸釋放,高純二(er)氧(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)鍺生產能力穩定提升。

高純二(er)氧化鍺(zang)可分為(wei)GeO2-05、GeO2-06兩個牌號,其中GeO2-05的二(er)氧化鍺(zang)純度不(bu)小(xiao)(xiao)于99.999%;GeO2-06的二(er)氧化鍺(zang)純度不(bu)小(xiao)(xiao)于99.9999%。

近年來,伴隨(sui)電(dian)子、半導體等產(chan)(chan)業的(de)快速(su)發展,市(shi)場(chang)對(dui)二(er)(er)氧(yang)(yang)化(hua)鍺(zang)的(de)粒度、松裝密度、純度等有了更高(gao)(gao)的(de)要(yao)求,在(zai)此背(bei)景下,高(gao)(gao)純二(er)(er)氧(yang)(yang)化(hua)鍺(zang)市(shi)場(chang)需求不斷釋放(fang)。為規范高(gao)(gao)純二(er)(er)氧(yang)(yang)化(hua)鍺(zang)產(chan)(chan)品質量、擴大(da)高(gao)(gao)純二(er)(er)氧(yang)(yang)化(hua)鍺(zang)生產(chan)(chan)能(neng)力,我國政府出(chu)臺了一系(xi)列高(gao)(gao)純二(er)(er)氧(yang)(yang)化(hua)鍺(zang)相關標準及(ji)政策,二(er)(er)氧(yang)(yang)化(hua)鍺(zang)產(chan)(chan)業結構逐漸得到優(you)化(hua)。

四氯化(hua)鍺

四氯化鍺是一種無色的發煙液體,帶一股獨特的酸性臭味。它是生產高純鍺過程中的反應中間體。四氯(lv)化(hua)鍺可用(yong)來生產純金屬鍺,高(gao)純四(si)氯(lv)化鍺(zang)可(ke)用來制備高(gao)純二氧化鍺(zang),純度更高(gao)的光纖級四(si)氯(lv)化鍺(zang)可(ke)作(zuo)為摻雜劑用于(yu)光纖預制棒(bang)生(sheng)產中,可(ke)以實現光纖無損耗信號傳輸(shu),大幅提(ti)高(gao)光纖性能。

光(guang)纖(xian)級(ji)四(si)氯化鍺(zang)是(shi)生產光(guang)纖(xian)預(yu)(yu)制棒的(de)(de)重要原材(cai)料之一,可以提高纖(xian)芯折射率(lv),從而降(jiang)低光(guang)傳輸損耗、提升(sheng)光(guang)傳輸距離(li)。光(guang)纖(xian)預(yu)(yu)制棒是(shi)光(guang)纖(xian)產業中利潤最高的(de)(de)環節,隨著我(wo)國(guo)光(guang)纖(xian)光(guang)纜行業規(gui)模不(bu)斷擴大(da),我(wo)國(guo)市場對光(guang)纖(xian)預(yu)(yu)制棒的(de)(de)需求不(bu)斷增長,拉動(dong)我(wo)國(guo)光(guang)纖(xian)級(ji)四(si)氯化鍺(zang)需求不(bu)斷上升(sheng)。

附《商務部 海關總署公告2023年第23號 關于對鎵、鍺相關物項實施出口管制的公告》

根據(ju)《中(zhong)華人(ren)民共(gong)和(he)國(guo)出口(kou)管制法(fa)》《中(zhong)華人(ren)民共(gong)和(he)國(guo)對外貿易法(fa)》《中(zhong)華人(ren)民共(gong)和(he)國(guo)海關(guan)法(fa)》有(you)關(guan)規定(ding)(ding),為(wei)維(wei)護(hu)國(guo)家安全和(he)利益,經國(guo)務院(yuan)批準,決定(ding)(ding)對鎵、鍺相關(guan)物項實施出口(kou)管制。有(you)關(guan)事項公(gong)告如下:

一、滿足以下特(te)性的物項,未(wei)經(jing)許可,不得出口:

(一)鎵相關物項。

1.金屬鎵(單質)(參考海關商品(pin)編號:8110929010、8112929090、8112999000)。

2.氮化(hua)鎵(包括但不限于晶片(pian)、粉末、碎料等形態)(參考(kao)海關(guan)商品(pin)編號:2850001901、3818009001、3825690001)。

3.氧化(hua)鎵(包括但(dan)不限(xian)于多晶(jing)(jing)、單晶(jing)(jing)、晶(jing)(jing)片、外延片、粉末、碎料等(deng)形態)(參考海關商(shang)品(pin)編號:2825909001、3818009002、3825690002)。

4.磷化鎵(包括(kuo)但不限于多晶(jing)、單(dan)晶(jing)、晶(jing)片(pian)、外延片(pian)等形態)(參考海關(guan)商品編號:2853904030、3818009003、3825690003)。

5.砷化鎵(包括但不限于(yu)多晶、單晶、晶片(pian)、外延片(pian)、粉末、碎料(liao)等形態)(參考海(hai)關商品編(bian)號:2853909026、3818009004、3825690004)。

6.銦鎵砷(參考海關商品編號:2853909028、3818009005、3825690005)。

7.硒化鎵(包括但不(bu)限于多晶(jing)(jing)、單晶(jing)(jing)、晶(jing)(jing)片、外延(yan)片、粉末、碎料等形態(tai))(參考海(hai)關商品(pin)編號:2842909024、3818009006、3825690006)。

8.銻(ti)化鎵(包括但不限(xian)于多晶(jing)、單晶(jing)、晶(jing)片、外延片、粉(fen)末、碎料等形態)(參考(kao)海(hai)關(guan)商品編號:2853909029、3818009007、3825690007)。

(二)鍺相關物項。

1.金屬(shu)鍺(單(dan)質,包括但不限于晶體、粉(fen)末、碎料(liao)等形(xing)態)(參考(kao)海(hai)關(guan)商品(pin)編號:8112921010、8112921090、8112991000)。

2.區熔鍺(zang)錠(參考(kao)海(hai)關商品編號:8112921090)。

3.磷鍺鋅(包括但不限于晶體、粉末、碎料等形態)(參(can)考海(hai)關商品(pin)編號(hao):2853904040、3818009008、3825690008)。

4.鍺外延生長(chang)襯底(參(can)考海關商品編號:8112921090)。

5.二(er)氧化鍺(參考海(hai)關(guan)商品編號:2825600002、3818009009、3825690009)。

6.四氯化鍺(參(can)考海關商品編號(hao):2827399001、3818009010、3825690010)。

二、出(chu)(chu)(chu)口經營者應按(an)照相關規定辦理(li)出(chu)(chu)(chu)口許(xu)可手續(xu),通過省級商務主(zhu)管部(bu)門向商務部(bu)提(ti)出(chu)(chu)(chu)申請(qing),填寫(xie)兩用物項和技術(shu)出(chu)(chu)(chu)口申請(qing)表并提(ti)交(jiao)下列文件:

(一(yi))出口合同、協(xie)議的(de)原件或者(zhe)與原件一(yi)致的(de)復(fu)印件、掃描件;

(二)擬出口(kou)物項的技術說明(ming)或(huo)者檢(jian)測報告;

(三)最(zui)終用戶(hu)和最(zui)終用途證明;

(四)進口商(shang)和最終(zhong)用戶情(qing)況介紹;

(五(wu))申請人(ren)(ren)的(de)法定代(dai)表(biao)人(ren)(ren)、主(zhu)要經(jing)營管理人(ren)(ren)以及(ji)經(jing)辦人(ren)(ren)的(de)身份證明。

三(san)、商務部(bu)應(ying)當自收到(dao)出口申請文件之日(ri)起進(jin)行審(shen)查(cha),或者會同有關部(bu)門進(jin)行審(shen)查(cha),并在(zai)法定時限內作出準予或者不(bu)予許可的決定。

對國家(jia)安全有(you)重大(da)影(ying)響的本公告所列物項的出口,商(shang)務部(bu)會(hui)同有(you)關部(bu)門報國務院批(pi)準。

四、經審查(cha)準予許可(ke)的(de),由商(shang)務部頒(ban)發(fa)兩用物項(xiang)和技術出口(kou)許可(ke)證件(以(yi)下(xia)簡(jian)稱出口(kou)許可(ke)證件)。

五、出口許可證件(jian)申領和(he)簽發(fa)程序、特殊情況處理(li)、文件(jian)資料(liao)保存年限(xian)等,依照(zhao)商(shang)務部、海關總署令2005年第29號(《兩用物項和(he)技術進出口許可證管理(li)辦(ban)法》)的相(xiang)關規定(ding)執行。

六、出(chu)(chu)(chu)口經營者應當向海關出(chu)(chu)(chu)具出(chu)(chu)(chu)口許可證(zheng)件,依照《中華人民(min)共和國海關法(fa)》的規定辦理(li)(li)海關手續(xu),并接(jie)受海關監管。海關憑商務部簽發的出(chu)(chu)(chu)口許可證(zheng)件辦理(li)(li)驗放手續(xu)。

七、出口(kou)經(jing)營者未(wei)經(jing)許可出口(kou)、超(chao)出許可范圍出口(kou)或有其他違法(fa)情形的,由商務(wu)部或者海(hai)關等部門依照(zhao)有關法(fa)律法(fa)規的規定給予行(xing)政處罰。構成犯罪的,依法(fa)追究刑(xing)事責任。

八、本公告自(zi)2023年(nian)8月(yue)1日起正式實施。

商務部 海關總署

2023年7月3日


轉載自:化(hua)工好料(liao)到

來源:芯(xin)智訊

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